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APT97H50J

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  • APT97H50J
    APT97H50J

    APT97H50J

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 98653

  • 原廠

  • MODULE

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  • 代理此型號,原裝正品現貨!!

  • APT97H50J
    APT97H50J

    APT97H50J

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 250

  • APT

  • 97A/500V/MOS/1U

  • 2024+

  • -
  • 全新現貨價格優勢

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
APT97H50J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT97H50J 技術參數
  • APT95GR65JDU60 功能描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:上次購買時間 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):135A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):380A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,95A 功率 - 最大值:446W 開關能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:420nC 25°C 時 Td(開/關)值:29ns/226ns 測試條件:433V,95A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 安裝類型:底座安裝 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT95GR65B2 功能描述:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):208A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):400A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,95A 功率 - 最大值:892W 開關能量:3.12mJ(開),2.55mJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:420nC 25°C 時 Td(開/關)值:29ns/226ns 測試條件:433V,95A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT94N65B2C6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級結 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):95A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 35.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):320nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8140pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:30 APT94N65B2C3G 功能描述:MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):94A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 47A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.8mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):580nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13940pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT94N60L2C3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 94A TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):94A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):640nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:264 MAX? [L2] 標準包裝:1 APTB1612LSYKCGKC APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G
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