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APTGLQ75H120T3G

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  • APTGLQ75H120T3G
    APTGLQ75H120T3G

    APTGLQ75H120T3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP1

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APTGLQ75H120T3G
    APTGLQ75H120T3G

    APTGLQ75H120T3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTGLQ75H120T3G
    APTGLQ75H120T3G

    APTGLQ75H120T3G

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

  • -
  • 代理渠道可追溯現貨庫存F

  • APTGLQ75H120T3G
    APTGLQ75H120T3G

    APTGLQ75H120T3G

  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主營優勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
APTGLQ75H120T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Power Module - IGBT
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APTGLQ75H120T3G 技術參數
  • APTGLQ600A65T6G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1200A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,600A 電流 - 集電極截止(最大值):600μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):36.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ50VDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGLQ50TL65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGLQ50H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGLQ50H65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG
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