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APTGT100A120D1G

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGT100A120D1G
    APTGT100A120D1G

    APTGT100A120D1G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 98653

  • 原廠

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!!

  • APTGT100A120D1G
    APTGT100A120D1G

    APTGT100A120D1G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 170

  • APT

  • 100A/1200V/IGBT/2U

  • 2024+

  • -
  • 全新現貨價格優勢

  • 1/1頁 40條/頁 共20條 
  • 1
APTGT100A120D1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • Trench + Field Stop IGBT®
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGT100A120D1G 技術參數
  • APTGT100A1202G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 140A 480W Through Hole SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):140A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):7.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP2 供應商器件封裝:SP2 標準包裝:1 APTGLQ80HR120CT3G 功能描述:PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,80A 電流 - 集電極截止(最大值):150μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGLQ75H65T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGLQ75H120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGLQ75H120T3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G APTGT100H170G APTGT100H60T3G
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