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APTM20DUM04

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTM20DUM04
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
S108X62-7L
25+
-
國產品牌，替代進口

APTM20DUM04G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優勢產品

APTM20DUM04G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

1/1頁 40條/頁共10條
1

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APTM20DUM04 PDF下載

制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
Dual common source MOSFET Power Module

APTM20DUM04 技術參數

APTM20DHM20TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:89A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 44.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:112nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6850pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20DHM16TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:104A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 52A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20DHM16T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態:停產 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:104A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 52A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM20DHM10G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 87.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20DHM08G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:208A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 104A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20HM20STG APTM20SKM04G APTM20SKM05G APTM20SKM08TG APTM20SKM10TG APTM20TAM16FPG APTM20TDUM16PG APTM20UM03FAG APTM20UM04SAG APTM20UM05SG APTM20UM09SG APTM50A15FT1G APTM50AM17FG APTM50AM19FG APTM50AM19STG APTM50AM24SCG APTM50AM24SG APTM50AM25FTG