欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > A字母型號搜索 >

APTM20UM04S-ALN

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
APTM20UM04S-ALN PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Single switch Series & parallel diodes MOSFET Power Module
APTM20UM04S-ALN 技術參數
  • APTM20UM04SAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 417A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):417A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 208.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28800pF @ 25V 功率 - 最大值:1560W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20UM03FAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 580A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):580A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 290A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):840nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):43300pF @ 25V 功率 - 最大值:2270W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20TDUM16PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):104A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 52A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM20TAM16FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):104A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 52A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM20SKM10TG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):175A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 87.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):224nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50AM35FTG APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G
配單專家

在采購APTM20UM04S-ALN進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買APTM20UM04S-ALN產品風險,建議您在購買APTM20UM04S-ALN相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的APTM20UM04S-ALN信息由會員自行提供,APTM20UM04S-ALN內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 许昌县| 泗水县| 临颍县| 白山市| 阜南县| 临安市| 兰西县| 广灵县| 和顺县| 巨鹿县| 西畴县| 兴化市| 旺苍县| 宁海县| 双桥区| 屏东县| 金坛市| 怀化市| 天气| 五河县| 信宜市| 麟游县| 闽侯县| 定边县| 岳普湖县| 怀宁县| 明光市| 长子县| 丰原市| 昭苏县| 壤塘县| 聂拉木县| 合作市| 明星| 永顺县| 扎鲁特旗| 江华| 庆城县| 贺州市| 四平市| 彭州市|