欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > A字母型號搜索 >

APTM50A15UT1G

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " APTM50A15UT1G " 相關的供應商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復 發布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APTM50A15UT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET TRANSISTOR
APTM50A15UT1G 技術參數
  • APTM50A15FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):25A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5448pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTM20UM09SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 195A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):195A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 74.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):217nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:1 APTM20UM05SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 317A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):317A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 158.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):448nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:1 APTM20UM04SAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 417A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):417A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 208.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28800pF @ 25V 功率 - 最大值:1560W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20UM03FAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 580A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):580A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 290A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):840nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):43300pF @ 25V 功率 - 最大值:2270W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G
配單專家

在采購APTM50A15UT1G進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買APTM50A15UT1G產品風險,建議您在購買APTM50A15UT1G相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的APTM50A15UT1G信息由會員自行提供,APTM50A15UT1G內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 扶余县| 玉龙| 安图县| 闸北区| 高陵县| 赤水市| 星子县| 彝良县| 漯河市| 郁南县| 东乡县| 铁岭市| 松阳县| 刚察县| 应用必备| 长宁区| 芒康县| 益阳市| 营口市| 南汇区| 虞城县| 封开县| 福安市| 健康| 会东县| 文化| 西林县| 天门市| 屏南县| 高平市| 涟水县| 棋牌| 克什克腾旗| 福鼎市| 聊城市| 镇康县| 青岛市| 抚顺市| 建阳市| 株洲市| 达日县|