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APTM50AM38FT

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTM50AM38FTG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP4
23+
-
微芯專營優勢產品

APTM50AM38FT
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
N93X40-10L
25+
-
國產品牌，替代進口

APTM50AM38FTG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

APTM50AM38FTG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
55
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共10條
1

您是不是要找： APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG

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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
Phase leg MOSFET Power Module

APTM50AM38FT 技術參數

APTM50AM35FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:99A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 49.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50AM25FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:149A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 74.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:29600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50AM24SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:434nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:19600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50AM24SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:434nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:19600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50AM19STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 85A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:492nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G APTM50DUM25TG APTM50DUM35TG APTM50DUM38TG APTM50H10FT3G APTM50H14FT3G APTM50H15FT1G APTM50HM35FG