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參數資料
| 型號： | MMBT4403T |
| 廠商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | 12V, CMOS, Rail-to-Rail I/O, Operational Amplifier 14-SOIC |
| 中文描述： | 進步黨小信號晶體管表面貼裝 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | MMBT4403T |
DS30273 Rev. 2 - 2
1 of 2
MMBT4403T
MMBT4403T
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Epitaxial Planar Die Construction
Complementary NPN Type Available
(MMBT4401T)
Ultra-Small Surface Mount Package
Characteristic
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
d
R
JA
T
j
, T
STG
MMBT4403T
-40
-40
-5.0
-600
150
833
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous (Note 1)
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage and Temperature Range
C/W
C
Features
Maximum Ratings
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
A
M
J
L
D
B
N
C
H
K
G
TOP VIEW
C
E
B
Mechanical Data
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
Case: SOT-523, Molded Plastic
Case material - UL Flammability Rating
Classification 94V-0
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking (See Page 2): 2T
Ordering & Date Code Information: See Page 2
Weight: 0.002 grams (approx.)
SOT-523
Min
Dim
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
N
Max
Typ
0.15
0.30
0.22
0.75
0.85
0.80
1.45
1.75
1.60
0.50
0.90
1.10
1.00
1.50
1.70
1.60
0.00
0.10
0.05
0.60
0.80
0.75
0.10
0.30
0.22
0.10
0.20
0.12
0.45
0.65
0.50
0
8
All Dimensions in mm
Notes:
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layoutE
B
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4403T-7 | Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT01; No. of Contacts:3; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Body Style:Straight |
| MMBT6472LT1 | Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MMBTA42E | TRANSISTOR |
| MMBTA517 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR) |
| MMBTA64 | Epitaxial Planar PNP Transistor(General Purpose Darlington Transistor)(外延平面PNP晶體管(通用達林頓晶體管)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT4403-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403T1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-236AB 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT4403T-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403T-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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