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參數資料
| 型號： | MMBT6472LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 達林頓晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 203K |
| 代理商： | MMBT6472LT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M21–1/5
1
3
2
MMBT6427LT1
2
EMITTER
3
COLLECTOR
1
BASE
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
Darlington Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
40
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
40
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
12
Vdc
Collector Current — Continuous
I
C
500
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (2) T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
P
D
Max
225
Unit
mW
1.8
556
300
mW/°C
°C/W
mW
R
θ
JA
P
D
2.4
417
mW/°C
°C/W
°C
R
θ
JA
T
J
, T
stg
–55 to +150
DEVICE MARKING
MMBT6427LT1 = 1V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)
(I
C
= 10 mAdc, V
BE
= 0)
Collector–Base Breakdown Voltage
(I
C
= 100
μ
Adc, I
E
= 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(I
E
= 10
μ
Adc, I
C
= 0)
Collector Cutoff Current
( V
CE
= 25Vdc, I
B
= 0)
Collector Cutoff Current
( V
CB
= 30Vdc, I
E
= 0)
Emitter Cutoff Current
( V
EB
= 10Vdc, I
C
= 0)
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
V
(BR)CEO
40
—
Vdc
V
(BR)CBO
40
—
Vdc
V
(BR)EBO
12
—
Vdc
I
CES
—
1.0
μ
Adc
I
CBO
—
50
nAdc
I
EBO
—
50
nAdc
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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| MMBT6515_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6517LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6517LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT6517LT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MMBT Series 350 V 100 mA SMT NPN Silicon Transistor - SOT-23 |
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