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BSC057N03MS G

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型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

BSC057N03MS G
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
3757
Unknown
原廠
21+
-
百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

BSC057N03MS G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Infineon
DFN56
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！

BSC057N03MS G
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
17009
INFINEON/英飛凌
SUPERSO8
22+
-

BSC057N03MS G
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
69800
INFINEON
近兩年生產
DFN-8
-
每一片都來自原廠

BSC057N03MS G
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
Infineon
系列產品
07+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BSC057N03MS G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3500
Infineon
SO8
13+
-
Infineon一級代理，價優

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功能描述
MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSC057N03MS G 技術參數

BSC057N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 15V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC054N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），81A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.4 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 27μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 20V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC052N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:95A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 49μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC052N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2820pF @ 15V 功率 - 最大值:54W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC052N03LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），57A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:770pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），28W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC065N06LS5ATMA1 BSC066N06NSATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 BSC072N025S G BSC072N03LD G BSC072N03LDGATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03SG BSC079N10NSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 BSC080P03LS G BSC080P03LSGAUMA1

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