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BSD214SNL6327

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  • BSD214SNL6327
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  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • INFINEON

  • SOT-363

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

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  • 北京京華特科技有限公司
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    聯系人:張小姐/韓先生

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  • 2520

  • Infineon technologies

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  • 1
BSD214SNL6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363
BSD214SNL6327 技術參數
  • BSD214SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BSD214SN L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:1 BSD-08BFFM-SR6A10 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:10 BSD-08BFFM-SR6A05 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:10 BSD-08BFFM-SR6A02 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:10 BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNL6327XT BSD340NH6327XTSA1 BSD816SNH6327XTSA1 BSD816SNL6327HTSA1 BSD840N L6327 BSD840NH6327XTSA1 BSE-020-01-C-D BSE-020-01-C-D-A BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2
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