- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377509 > IRFP044 (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFP044 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 0.028ohm，身份證\u003d 57A條） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | IRFP044 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP048 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A) |
| IRFP054N | IC/71054 24P P DIP INTERFACE |
| IRFP054V | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=9.0mohm, Id=93A) |
| IRFP054 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A) |
| IRFP064 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFP044N | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFP044N | 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Dr |
| IRFP044NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
| IRFP044NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP044PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 57 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。