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參數(shù)資料
型號: IRFP048
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=70A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 60V的,的Rds(on)\u003d 0.018ohm,身份證\u003d 70A條)
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 174K
代理商: IRFP048
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP054N IC/71054 24P P DIP INTERFACE
IRFP054V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=9.0mohm, Id=93A)
IRFP054 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.014ohm, Id=70*A)
IRFP064 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
IRFP22N50A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP048_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFP048N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFP048NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP048NPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 59.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP048PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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