欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號: IRFP22N50A
廠商: International Rectifier
英文描述: N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
中文描述: ?頻道開關(guān)電源MOSFET的(不適用溝道開關(guān)模式電源馬鞍山場效應(yīng)管)
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 103K
代理商: IRFP22N50A
IRFP22N50A
12/15/99
www.irf.com
1
PD- 91833C
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
UninterruptIble Power Supply
l
High Speed Power Switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
Applications
V
DSS
500V
R
DS(on)
max
0.23
I
D
22A
Typical SMPS Topologies
l
Full Bridge Converters
l
Power Factor Correction Boost
Notes
through
are on page 8
Parameter
Max.
22
14
88
277
2.2
± 30
4.8
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
TO-247AC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP23N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.190ohm, Id=23A)
IRFP240 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=20A)
IRFP240 20A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFP2410 100V,61A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,61A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
IRFP244 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=15A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP22N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP22N60C3PBF 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFP22N60K 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP22N60KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP23N50L 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 23 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 湛江市| 克什克腾旗| 息烽县| 博湖县| 灵寿县| 汽车| 板桥市| 乐至县| 东方市| 化德县| 桐梓县| 玉龙| 高州市| 南丹县| 海林市| 凭祥市| 称多县| 北京市| 广饶县| 长葛市| 深泽县| 特克斯县| 宁海县| 平武县| 陆川县| 康乐县| 华池县| 开阳县| 隆回县| 固镇县| 浮梁县| 长岛县| 清苑县| 大埔县| 连城县| 大兴区| 浠水县| 嘉峪关市| 竹溪县| 轮台县| 莱州市|