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STL11N3LLH6

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STL11N3LLH6 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STL11N3LLH6 技術參數
  • STL115N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,STripFET? F7 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):107A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):72.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5600pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):136W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 53A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 STL110NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2110pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL110N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):107A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5117pF @ 50V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL10N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:1 STL10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):660 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL-1-250-3-01 STL-1-250-8-01 STL128D STL128DFP STL128DNFP STL12HN65M2 STL12N3LLH5 STL12N60M2 STL12N65M2 STL12N65M5 STL12P6F6 STL130N6F7 STL130N8F7 STL-1-350-3-01 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG STL13DP10F6 STL13N60DM2
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