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STL115N10F7AG

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型號
供應商
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封裝
批號
價格
說明
操作

STL115N10F7AG
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6001
ST/意法半導體
PowerFLAT-8
22+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

STL115N10F7AG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
DFN5X6
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STL115N10F7AG
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
16430
STMicroelectronics
PowerFLAT-8
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

STL115N10F7AG
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
27000
ST MICROELECTRONICS
價格優勢
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全新原裝渠道現貨

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功能描述
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
制造商
stmicroelectronics
系列
汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
107A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
72.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
5600pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
6 毫歐 @ 53A，10V
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
標準包裝
1

STL115N10F7AG 技術參數

STL110NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2110pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL110N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:107A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5117pF @ 50V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL10N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 STL10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:660 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL10N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3）標準包裝:1 STL120N8F7 STL-1-250-3-01 STL-1-250-8-01 STL128D STL128DFP STL128DNFP STL12HN65M2 STL12N3LLH5 STL12N60M2 STL12N65M2 STL12N65M5 STL12P6F6 STL130N6F7 STL130N8F7 STL-1-350-3-01 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG STL13DP10F6