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STL11N3LLH6

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STL11N3LLH6
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
10381
ST
PowerFlat-8
23+
-
全新原裝正品現貨熱賣

STL11N3LLH6
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
5250
ST/意法
DFN3x3
23+
-
百分百進口原裝環保整盤

STL11N3LLH6
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
DFN33
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STL11N3LLH6
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
PowerFlat3.3x3.3)
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STL11N3LLH6
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
3000
SR
VFDFPN8
假一賠十！
-
絕對原裝現貨！！

STL11N3LLH6
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
10000
有30000個ST
DFN33
2016+
-
原裝正品，假一罰十

STL11N3LLH6
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
69800
ST
近兩年生產
8-PowerVDF
-
每一片都來自原廠

STL11N3LLH6
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（3.3x3.3）
18+
-
MOSFET N-CH 30V 11A ...

STL11N3LLH6
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
101905
STM
DFN3X3
13+
-
全新原裝現貨

STL11N3LLH6
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3526
ST
PowerFlat?（3.3x3.3）
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

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功能描述
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STL11N3LLH6 技術參數

STL115N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:107A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:72.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:136W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 53A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 STL110NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2110pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL110N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:107A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5117pF @ 50V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL10N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 STL10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:660 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL-1-250-3-01 STL-1-250-8-01 STL128D STL128DFP STL128DNFP STL12HN65M2 STL12N3LLH5 STL12N60M2 STL12N65M2 STL12N65M5 STL12P6F6 STL130N6F7 STL130N8F7 STL-1-350-3-01 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG STL13DP10F6 STL13N60DM2