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參數資料
| 型號： | IRF3703 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=2.8mohm, Id=210A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 2.8mohm，身份證\u003d 210A） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | IRF3703 |
02/27/01
www.irf.com
1
IRF3703
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
2.8m
Synchronous Rectification
Active ORing
Benefits
Ultra Low On-Resistance
Applications
Low Gate Impedance to Reduce Switching
Losses
Fully Avalanche Rated
V
DSS
30V
I
D
210A
Absolute Maximum Ratings
Notes
through are on page 8
Parameter
Max.
210
100
1000
230
3.8
1.5
± 20
5.0
-55 to + 175
Units
I
D
@ T
C
= 25
°
C
I
D
@ T
C
= 100
°
C
I
DM
P
D
@T
C
= 25
°
C
P
D
@T
A
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Junction and Storage Temperature Range
A
W
W/
°
C
V
V/ns
°
C
V
GS
dv/dt
T
J,
T
STG
Parameter
Typ.
–––
0.5
–––
Max.
0.65
–––
62
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°
C/W
Thermal Resistance
TO-220AB
PD - 93918
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRF3709ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZSPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3703PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| IRF3704L | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3704LPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3704PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9.0mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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