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參數資料
| 型號： | IRF5305STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 55V的五（巴西）直|第31A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | IRF5305STRR |
IRF5305S/L
6
www.irf.com
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D .U.T
L
V
DS
VD D
DR IVER
A
15V
-20V
0
100
200
300
400
500
600
700
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = -25V
I
TOP -6.6A
-11A
BOTTOM -16A
D
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF530ND | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP |
| IRF530N | N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS 晶體管) |
| IRF540CHIP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | CHIP |
| IRF541FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB |
| IRF542FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRF530A | 功能描述:MOSFET TO-220 N-Ch A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF530A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5 |
| IRF530FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| IRF530FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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