- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360928 > IRF5305STRR TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF5305STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 55V的五（巴西）直|第31A條（丁）|對(duì)263AB |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | IRF5305STRR |
IRF5305S/L
www.irf.com
7
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRF530ND | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 17A I(D) | CHIP |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRF530A | 功能描述:MOSFET TO-220 N-Ch A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF530A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N-CH/100V/14A/0.11OHM/SUBSTITUTE OF IRF5 |
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| IRF530FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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