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參數資料
| 型號： | IRF712R |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 1.7 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | IRF712R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF720STRL | 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF730ASTRRPBF | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF7341IPBF | 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF743 | 8 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF842 | 7 A, 500 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF712S2497 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF713 | 制造商:n/a 功能描述:IRF713 |
| IRF713R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-220AB |
| IRF720 | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF720_R4943 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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