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參數(shù)資料
型號(hào): IRF731FI
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五(巴西)直| 3.5AI(四)| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁(yè)數(shù): 4/10頁(yè)
文件大小: 184K
代理商: IRF731FI
IRF730AS/L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
10
100
1000
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
V
G
I =
SEE FIGURE
FOR TEST CIRCUIT
13
5.5
V
= 80V
DS
V
= 200V
DS
V
= 320V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
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PDF描述
IRF7322D1 -20V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
IRF7324 -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
IRF732FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IRF733FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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IRF7321D2TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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