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參數資料
型號: IRF732FI
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 3A條(丁)| TO - 220AB現有
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 184K
代理商: IRF732FI
5/8/00
www.irf.com
1
IRF730AS/L
HEXFET
Power MOSFET
SMPS MOSFET
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptable Power Supply
l
High speed power switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective Coss Specified (See AN1001)
Applications
V
DSS
400V
Rds(on) max
1.0
I
D
5.5A
Typical SMPS Topologies:
l
Single Transistor Flyback Xfmr. Reset
l
Single Transistor Forward Xfmr. Reset
(Both US Line input only).
Parameter
Max.
5.5
3.5
22
74
0.6
± 30
4.6
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
PD-93772A
Notes
through
are on page 10
D2
TO-262
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相關PDF資料
PDF描述
IRF733FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IRF734 450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
IRF7341Q 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
IRF7341QTR TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | SO
IRF7342D2 -55V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF732R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
IRF733 制造商:Motorola Inc 功能描述:
IRF7331 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7331PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7331PBF_08 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET
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