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參數資料
| 型號： | IRF732FI |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 3A條（?。﹟ TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | IRF732FI |
IRF730AS/L
8
www.irf.com
D
2
Pak Package Outline
D
2
Pak
Part Marking Information
10.16 (.400)
REF.
6.47 (.255)
6.18 (.243)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
8.89 (.350)
REF.
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
- A -
2
1 3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
5.08 (.200)
3X1.14 (.045)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
MAX.
NOTES:
1 DIMENSIONS AFTER SOLDER DIP.
2 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
3 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
4 HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS.
0.55 (.022)
0.46 (.018)
0.25 (.010) M B A M
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
11.43 (.450)
8.89 (.350)
17.78 (.700)
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
2.54 (.100)
2X
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
ASSEMBLY
LOT CODE
F530S
9B 1M
9246
A
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF733FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
| IRF734 | 450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
| IRF7341Q | 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| IRF7341QTR | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | SO |
| IRF7342D2 | -55V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF732R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF733 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| IRF7331 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF7331PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7331PBF_08 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET |
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