- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360931 > IRF731FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRF731FI |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五（巴西）直| 3.5AI（四）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF731FI |
IRF730AS/L
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRF7321D2TR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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