- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360931 > IRF7322D1 -20V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF7322D1 |
| 英文描述： | -20V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package |
| 中文描述： | - 20V的FETKY - MOSFET和肖特基二極管的SO - 8封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF7322D1 |
IRF730AS/L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
10
100
1000
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20
V
G
I =
SEE FIGURE
FOR TEST CIRCUIT
13
5.5
V
= 80V
DS
V
= 200V
DS
V
= 320V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7324 | -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| IRF732FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
| IRF733FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
| IRF734 | 450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
| IRF7341Q | 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7322D1HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7322D1PBF | 功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 98 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7322D1TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7322D1TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7322D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -5.3A 62mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。