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參數(shù)資料
型號: IRF7322D1
英文描述: -20V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
中文描述: - 20V的FETKY - MOSFET和肖特基二極管的SO - 8封裝
文件頁數(shù): 8/10頁
文件大小: 184K
代理商: IRF7322D1
IRF730AS/L
8
www.irf.com
D
2
Pak Package Outline
D
2
Pak
Part Marking Information
10.16 (.400)
REF.
6.47 (.255)
6.18 (.243)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
8.89 (.350)
REF.
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
- A -
2
1 3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
5.08 (.200)
3X1.14 (.045)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
MAX.
NOTES:
1 DIMENSIONS AFTER SOLDER DIP.
2 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
3 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
4 HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS.
0.55 (.022)
0.46 (.018)
0.25 (.010) M B A M
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
11.43 (.450)
8.89 (.350)
17.78 (.700)
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
2.54 (.100)
2X
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
DATE CODE
(YYW W )
YY = YEAR
W W = W EEK
ASSEMBLY
LOT CODE
F530S
9B 1M
9246
A
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7324 -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
IRF732FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IRF733FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IRF734 450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
IRF7341Q 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7322D1HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7322D1PBF 功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 98 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7322D1TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7322D1TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7322D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -5.3A 62mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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