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參數資料
| 型號： | IRF7324 |
| 英文描述： | -20V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| 中文描述： | - 20V的雙P溝道HEXFET功率MOSFET的SO - 8封裝 |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF7324 |
IRF730AS/L
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRF733FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
| IRF734 | 450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
| IRF7341Q | 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| IRF7341QTR | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | SO |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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