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參數資料
| 型號： | IRF7324PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(-20V, 0.018ohm) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（- 20V的，0.018ohm） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | IRF7324PBF |
HEXFET
Power MOSFET
IRF7324PbF
Absolute Maximum Ratings
www.irf.com
1
Thermal Resistance
Parameter Max.
Maximum Junction-to-Ambient
Units
62.5 °C/W
R
θ
JA
Parameter
Max.
-20
-9.0
-7.1
-71
2.0
1.3
Units
V
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Linear Derating Factor 16 mW/°C
V
GS
Gate-to-Source Voltage
± 12 V
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
A
W
W
-55 to + 150
°C
V
DSS
= -20V
R
DS(on)
= 0.018
New trench HEXFET
Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to
achieve extremely low on-resistance per silicon area.
This benefit, combined with the ruggedized device design
that HEXFET power MOSFETs are well known for,
provides the designer with an extremely efficient and
reliable device for use in battery and load management
applications.
●
Trench Technology
●
Ultra Low On-Resistance
●
Dual P-Channel MOSFET
●
Low Profile (<1.1mm)
●
Available in Tape & Reel
●
2.5V Rated
●
Lead-Free
Description
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
SO-8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7328PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF7329PBF | HEXFET Power MOSFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRF7325PBF | 功能描述:MOSFET DUAL -12V P-CH HEXFET 24mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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