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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF7341Q |
| 英文描述： | 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| 中文描述： | 55V的雙N溝道HEXFET功率MOSFET的SO - 8封裝 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/10頁(yè) |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF7341Q |
IRF730AS/L
www.irf.com
9
TO-262
Part Marking Information
Package Outline
TO-262 Outline
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7341QTR | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | SO |
| IRF7342D2 | -55V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package |
| IRF734S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB |
| IRF730 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
| IRF730 | BEAD,FERRITE,1000 OHMS,+/-25%,100MA,0603 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7341QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7341QTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7341QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7341TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7341TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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