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參數資料
| 型號： | IRF7342D2 |
| 英文描述： | -55V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package |
| 中文描述： | - 55V的FETKY - MOSFET和肖特基二極管的SO - 8封裝 |
| 文件頁數： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF7342D2 |
IRF730AS/L
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 150 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
4.0
5.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
20μs PULSE WIDTH
V = 50V
DS
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
I =
V
=
GS
10V
5.5
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 25 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF734S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB |
| IRF730 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
| IRF730 | BEAD,FERRITE,1000 OHMS,+/-25%,100MA,0603 |
| IRF730A | SMPS MOSFET |
| IRF730APBF | SMPS MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7342D2HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC |
| IRF7342D2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7342D2PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET With Schottky Diode |
| IRF7342D2TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7342D2TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:-55V FETKY - MOSFET AND SCHOTTKY DIODE IN A SO-8 PACKAGE 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SOIC - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC |
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