- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360932 > IRF734 450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRF734 |
| 英文描述： | 450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
| 中文描述： | 450V單N溝道HEXFET功率MOSFET的在采用TO - 220AB封裝 |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRF734 |
IRF730AS/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
2.5A
3.5A
5.5A
TOP
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IAV , Avalanche Current ( A)
540
550
560
570
580
590
600
610
VD
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7341Q | 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| IRF7341QTR | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | SO |
| IRF7342D2 | -55V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package |
| IRF734S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB |
| IRF730 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7341 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NN LOGIC SO-8 |
| IRF7341IPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7341ITRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 4.7A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7341PBF | 功能描述:MOSFET 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7341Q | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。