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參數資料
| 型號： | IRF734 |
| 英文描述： | 450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
| 中文描述： | 450V單N溝道HEXFET功率MOSFET的在采用TO - 220AB封裝 |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | IRF734 |
IRF730AS/L
www.irf.com
9
TO-262
Part Marking Information
Package Outline
TO-262 Outline
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7341Q | 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
| IRF7341QTR | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | SO |
| IRF7342D2 | -55V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package |
| IRF734S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB |
| IRF730 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7341 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NN LOGIC SO-8 |
| IRF7341IPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7341ITRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 4.7A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7341PBF | 功能描述:MOSFET 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7341Q | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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