- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377506 > IRF7413ZPBF (International Rectifier) Control FET for Notebool Processor Power, Control and Synchronous Rectifier PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF7413ZPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Control FET for Notebool Processor Power, Control and Synchronous Rectifier |
| 中文描述： | 控制場(chǎng)效應(yīng)管的Notebool處理器電源，控制和同步整流器 |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 266K |
| 代理商： | IRF7413ZPBF |
www.irf.com
1
6/30/05
IRF7413ZPbF
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
10m @V
GS
= 10V
Notes
through are on page 10
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
100% Tested for R
G
Lead-Free
Applications
Control FET for Notebook Processor
Power
Control and Synchronous Rectifier
MOSFET for Graphics Cards and POL
Converters in Computing, Networking
and Telecommunication Systems
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
A
Power Dissipation
Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
-55 to + 150
2.5
1.6
0.02
Max.
30
13
10
100
± 20
V
DSS
30V
I
D
13A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7416 | P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| IRF7422D2PBF | FETKY⑩MOSFET &Schottky Diode |
| IRF7422D2 | Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管) |
| IRF7424PBF | HEXFET Power MOSFET |
| irf7424 | Ultra Low On-Resistance |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7413ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7413ZTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7413ZUPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFT Power MOSFET |
| IRF7416 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC SO-8 |
| IRF7416GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。