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參數資料
| 型號： | IRF831FI |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 3A條（?。﹟對220VAR |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | IRF831FI |
IRF830AS/L
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
2. Peak T =P
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
D
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF832FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF833FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF830 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated |
| IRF830 | N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
| IRF830 | POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF831R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| IRF832 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
| IRF8327STR1PBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8327STRPBF | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF832FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
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