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參數資料
型號: IRF9530S
廠商: TT electronics Semelab Limited
英文描述: P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
中文描述: P溝道功率MOSFET的HI.REL應用
文件頁數: 1/2頁
文件大?。?/td> 22K
代理商: IRF9530S
相關PDF資料
PDF描述
IRF9530SMD P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
IRF9632 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB
IRF9641 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220AB
IRF9642 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220AB
IRF9611 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF9530SMD 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
IRF9530SPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9530STRL 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9530STRLPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9530STRR 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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