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參數資料
| 型號： | IRF9910 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box |
| 中文描述： | 雙SO - 8的POL轉換器MOSFET的臺式機，服務器，圖形卡，游戲機和機頂盒 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | IRF9910 |
www.irf.com
1
04/28/04
IRF9910
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
Notes
through are on page 10
SO-8
Benefits
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Low Gate Charge
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
20V V
GS
Max. Gate Rating
Applications
Dual SO-8 MOSFET for POL
converters in desktop, servers,
graphics cards, game consoles
and set-top box
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Q1 Max.
Q2 Max.
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
10
8.3
83
12
9.9
98
A
Power Dissipation
Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
62.5
Units
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
± 20
20
-55 to + 150
2.0
1.3
0.016
V
DSS
20V
I
D
Q1 13.4m @V
GS
= 10V
Q2
9.3m @V
GS
= 10V
10A
12A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9952 | Power MOSFET(Vdss=+-30V) |
| IRF9953 | Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm) |
| IRF9Z14S | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A) |
| IRF9Z14 | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A) |
| IRF9Z24L | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF9910HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8-Pin SOIC |
| IRF9910PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 13.4mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9910PBF_08 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge |
| IRF9910TR | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF9910TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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