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參數資料
| 型號： | IRF9Z14 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 60V的，的Rds（on）\u003d 0.50ohm，身份證\u003d- 6.7A） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | IRF9Z14 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9Z24L | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
| IRF9Z24S | Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A) |
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| IRF9Z24 | POWER MOSFET |
| IRF9Z24NL | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IRF9Z14LPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9Z14PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9Z14S | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9Z14SPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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