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參數資料
型號: IRFG5210
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 200V V(BR)DSS | 680MA I(D) | DIP
中文描述: 晶體管| MOSFET的|陣|互補| 200伏五(巴西)直| 680MA(丁)|雙酯
文件頁數: 10/12頁
文件大小: 193K
代理商: IRFG5210
10
www.irf.com
IRFG5210
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
P-Channel
Q2,Q4
V
GS
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
1
10
100
1000
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
-
D
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PDF描述
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