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參數資料
| 型號： | IRFG5210 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 200V V(BR)DSS | 680MA I(D) | DIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|陣|互補| 200伏五（巴西）直| 680MA（丁）|雙酯 |
| 文件頁數： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | IRFG5210 |
www.irf.com
5
IRFG5210
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
N-Channel
Q1,Q3
1
10
100
0
60
120
180
240
300
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
Q , Total Gate Charge (nC)
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
16
0.68A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
100us
1ms
10ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFG6113 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 60V V(BR)DSS | 850MA I(D) | DIP |
| IRFG9113 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 650MA I(D) | DIP |
| IRFGIH50F | |
| IRFH150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-210AC |
| IRFH250 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-210AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFG5210SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N/P-CH 200V 0.68A 14PIN MO-036AB - Bulk |
| IRFG5210SCX | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N/P-CH 200V 0.68A 14PIN MO-036AB - Bulk |
| IRFG6110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.75A 14PIN MO-036AB - Bulk |
| IRFG6113 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 60V V(BR)DSS | 850MA I(D) | DIP |
| IRFG9110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 0.75A 14-Pin MO-036AB |
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