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參數(shù)資料
| 型號： | IRFP250 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | N-Channel Power Mosfets |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 493K |
| 代理商： | IRFP250 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP250 | Standard Power MOSFET |
| IRFP250N | Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A) |
| IRFP250 | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFP250B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFP254N | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=125mohm, Id=23A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFP250_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-247 N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP250A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| IRFP250B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFP250B_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP250B_FP001_Q | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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