型號: | IRFP250 |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 200V N-Channel MOSFET |
中文描述: | 33 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
文件頁數: | 1/8頁 |
文件大?。?/td> | 493K |
代理商: | IRFP250 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFP250B | 200V N-Channel MOSFET |
IRFP254N | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=125mohm, Id=23A) |
IRFP260 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A) |
IRFP260 | Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode |
IRFP260N | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRFP250_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-247 N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFP250A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
IRFP250B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
IRFP250B_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFP250B_FP001_Q | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |