欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: IRFR3209A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 3.1AI(四)|對252AA
文件頁數: 5/7頁
文件大小: 117K
代理商: IRFR3209A
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
IRFR320, IRFU320 Rev. B
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
N
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-40
0
40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
120
1.15
80
I
D
= 250
μ
A
160
B
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
750
600
450
300
150
01
2
5
10
2
5
10
2
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
5
4
3
2
1
00
1
2
3
4
5
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0.3
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.6
0.9
1.2
100
10
1
0.1
I
S
,
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
1.5
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= 0V
0
4
8
12
16
20
I
D
= 3.1A
Q
G(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
V
DS
= 320V
IRFR320, IRFU320
相關PDF資料
PDF描述
IRFR320A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA
IRFR322 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-252AA
IRFR3303TR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA
IRFR3303TRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA
IRFR3303TRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-252AA
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFR320A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA
IRFR320B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
IRFR320BTF 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR320BTM 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR320PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 张家口市| 长丰县| 安远县| 车致| 固安县| 万州区| 襄樊市| 安义县| 乐都县| 河北区| 镇雄县| 丰县| 奈曼旗| 洛浦县| 波密县| 栖霞市| 宁强县| 额敏县| 郯城县| 乌兰县| 玉田县| 万盛区| 宿迁市| 化德县| 咸阳市| 曲靖市| 呈贡县| 姜堰市| 仪陇县| 广饶县| 同心县| 开阳县| 乌鲁木齐县| 盐亭县| 合阳县| 汝南县| 滦南县| 镇雄县| 都兰县| 县级市| 饶阳县|