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參數(shù)資料
| 型號： | IRFS1Z3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) | TO-243AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 750mA電流（丁）|對243AA |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | IRFS1Z3 |
IRFS11N5OA
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
11A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
0
400
800
1200
1600
2000
2400
1
10
100
1000
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
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PDF描述 |
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