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參數(shù)資料
| 型號： | IRFS1Z3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) | TO-243AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 750mA電流（丁）|對243AA |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | IRFS1Z3 |
IRFS11N5OA
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
580
600
620
640
660
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
A
D
I , Avalanche Current (A)
V
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
4.9A
7.0A
11A
TOP
BOTTOM
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS240 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS241 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SOT-186VAR |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRFS23N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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| IRFS23N20D | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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