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參數資料
| 型號： | IRFS1Z3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) | TO-243AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 750mA電流（丁）|對243AA |
| 文件頁數： | 9/9頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | IRFS1Z3 |
IRFS11N50A
www.irf.com
9
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
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IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN:
16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 9/99
Tape & Reel Information
D
2
Pak
3
4
4
TRR
FEED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
330.00
(14.173)
MAX.
27.40 (1.079)
60.00 (2.362)
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOTES :
1. COMFORM S TO EIA-418.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Starting T
J
= 25°C, L = 4.5mH
R
G
= 25
, I
AS
= 11A. (See Figure 12)
I
SD
≤
11A, di/dt
≤
140A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
C
oss
eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C
oss
while V
DS
is rising from 0 to 80% V
DSS
Uses IRFB11N50A data and test conditions
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
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PDF描述 |
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