- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄385445 > IRFU120PBF (International Rectifier) HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.27ヘ , ID = 7.7A ) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFU120PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.27ヘ , ID = 7.7A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的RDS（on）\u003d 0.27ヘ，身份證\u003d 7,7） |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 2133K |
| 代理商： | IRFU120PBF |
www.irf.com
1
IRFR120PbF
IRFU120PbF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU13N20DPBF | Replacement for Texas Instruments part number SN74LS12N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics. |
| IRFU2307ZPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFU2407PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRFU24N15DPBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRFU2905ZPBF | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFU120TR | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
| IRFU120Z | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU120ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 8.7A 190mOhm 6.9nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU121 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-251 |
| IRFU12N25D | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。