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參數(shù)資料
| 型號： | IRFu5505PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Ultra Low On-Resistance |
| 中文描述： | 超低導通電阻 |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 1407K |
| 代理商： | IRFU5505PBF |
www.irf.com
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Lead-Free
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR9014PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFU9014PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFR9024NPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ヘ , ID = -11A ) |
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| IRFR9110PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFU6215 | 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU6215PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU7440PBF | 功能描述:MOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, I-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU9010 | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU9010PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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