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參數(shù)資料
| 型號： | IRFZ44N |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | IRFZ44N |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.18. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
February 1999
7
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44NS | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ44 | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ44 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFZ44EL | MOV 250V RMS 17MM HIGH ENERGY |
| IRFZ44ES | MOV 175V RMS 17MM HIGH ENERGY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ44N,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 49A SOT78 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ44N\45B | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 55V 49A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ44N-009HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
| IRFZ44N-013HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
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