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參數(shù)資料
| 型號： | IRFZ44NL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.0175ohm，身份證\u003d 49A條） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | IRFZ44NL |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 10 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
VGS/V =
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
16
10
9
8.5
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
30
gfs/S
ID/A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
15
20
25
30
35
40VGS/V =
6
6.5
7
8
9
10
ID/A
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
BUK759-60
0
-50
0
50
100
150
200
1
2
3
4
5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
February 1999
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44VZS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A) |
| IRFZ44NS | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) |
| IRFZ44VL | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) |
| IRFZ44VS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) |
| IRFZ44VZ | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ44NLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 49A 3PIN TO-262 - Bulk |
| IRFZ44NLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ44NLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRFZ44NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 41A 17.5mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ44NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 49A TO-220AB |
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